二极管@@为何不适合并联@@@@?串联@@为何还要均压@@?

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串联@@

在串联@@时@@@@,需要注意静态截止电压和@@动态截止电压的对称分布@@。

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在静态时@@@@,由@@于串联@@各金宝博@@手机登录@@ 的截止漏电流具有不同的制造偏差@@,导致具有最小漏电流的金宝博@@手机登录@@@@ 承受了最大的电压@@,甚至达到擎住状态@@。但只要金宝博@@手机登录@@ 具有足够的擎住稳定性@@,则无必要在线路中采用均压电阻@@。只有当截止电压大于@@1200V的金宝博@@手机登录@@ 串联@@时@@,一般来说@@才有必要外加一个并联@@电阻@@。

假设截止漏电流不随电压变化@@,同时忽略电阻的误差@@,则对于@@n个具有给定截止电压@@VR的二极管@@@@的串联@@电路@@,我们可以得到一个简化的计算电阻的公式@@:

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以上@@Vm是串联@@电路中电压的最大值@@@@,△Ir是二极管@@漏电流的最大偏差@@,条件是运行温度为最大值@@@@。我们可以做一个安全的假设@@:

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上式中@@,Irm是由@@制造商所给定的@@。利用@@以上@@估计@@,电阻中的电流大约是二极管@@漏电流的六倍@@。


经验表明@@,当流经电阻的电流约为最大截止电压下二极管@@漏电流的三倍时@@,该电阻值@@便是足够的@@。但即使在此条件下@@,电阻中仍会出现可观的损耗@@。


原则上@@,动态的电压分布不同于静态的电压分布@@。如果一个二极管@@@@pn结的@@载流子小时得比另外一个要快@@,那么它也就更早地承受电压@@。


如果忽略电容的偏差@@,那么在@@n个给定截止电压值@@@@Vr的二极管@@@@相串联@@时@@@@,我们可以采用一个简化的计算并联@@电容的方法@@:

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以上@@△QRR是二极管@@存储电量的最大偏差@@。我们可以做一个充分安全的假设@@:

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条件是所有的二极管@@@@均出自同一个制造批号@@。△QRR由@@半导体制造商所给出@@。除了续流二极管@@关断时出现的存储电量之外@@,在电容中存储的电量也同样需要由@@@@正在开通的@@IGBT来接替@@。根据上述设计公式@@,我们发现总的存储电量值@@可能会达到单个二极管@@的存储电量的两倍@@。

一般来说@@,续流二极管@@的串联@@电流并不多见@@,原因还在于存在下列附件的损耗源@@:

1、pn结的@@n重扩散电压@@;
2、并联@@电阻中的损耗@@;
3,需要由@@@@IGBT接替的附加存储电量@@
4、由@@RC电路而导致的金宝博@@手机登录@@@@ 的增加@@。


所以在高截止电压的二极管@@@@可以被采用时@@,一般不采用串联@@方案@@。
唯一的例外是当应用电路要求很短的开关时间和@@很低的存储电量时@@,这两点正好是地奈亚二极管@@所具备@@的@@。当然此时系统的通态损耗也会大大增加@@。

并联@@
并联@@并不需要附加的@@RC缓冲电路@@。重要的是在并联@@时通态电压的偏差应尽可能小@@。

一个判断二极管@@是否适合并联@@的重要参数是其通态电压对温度的依赖性@@。如果通态电压随温度的增加@@而下降@@,则它具有负的温度系数@@。对于损耗来说@@,这是一个优点@@。

如果通态电压随温度的增加@@而增加@@,则温度系数为正@@。

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在典型的并联@@应用中@@,这是一个优点@@,其原因在于@@,较热的二极管@@@@将承受较低电流@@,从而导致系统的稳定@@。因为二极管@@总是存在一定的制造偏差@@,所以在二极管@@并联@@时@@,一个较大的负温度系数@@(>2mV/K)则有可能产生温升失衡的危险@@。

并联@@的二极管@@@@会产生热耦合@@

1、在多个芯片并联@@的模块中通过基片@@;
2、在多个模块并联@@于一块散热片时通过散热器@@
一般对于较弱的负温度系数来说@@,这类热偶合足以避免具有最低通态电压的二极管@@@@走向温度失衡@@。但对于负温度系数值@@@@>2mM/K的二极管@@@@,我们则建议降额使用@@,即总的额定电流应当小于各二极管@@额定电流的总和@@@@。

来源@@:EDN电子技术设计@@

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