非隔离型栅极驱动器@@@@与@@功率元器件@@

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ROHM不仅提供电机驱动器@@IC,还提供适用于电机驱动的@@非隔离型栅极驱动器@@@@@@,以及分立功率器件@@IGBT和@@功率@@MOSFET。

我们将先介绍@@罗姆非隔离型栅极驱动器@@@@@@,再介绍@@@@ROHM超级结@@MOSFET PrestoMOS™。

采用了无闩锁效应@@SOI工艺@@的@@高可靠性非隔离型栅极驱动器@@@@@@

ROHM的@@非隔离型栅极驱动器@@@@是使用了自举方式的@@高边@@/低边栅极驱动器@@@@。通过采用无闩锁效应@@SOI工艺@@,实现了高可靠性@@。产生闩锁效应时@@,会流过大电流@@,可能会导致@@IC或功率元器件损坏@@。可以通过金宝博@@手机登录@@ 布局和@@制造工艺@@来改善抗闩锁性能@@,而@@ROHM的@@SOI(Silicon On Insulator)工艺@@通过@@SOI基板的@@完全介电分离法提高了耐压性能@@,并且可以从结构上避免闩锁效应@@。

非隔离型栅极驱动器@@@@

反向恢复时间更短的@@超级结@@@@MOSFET:PrestoMOS™

PrestoMOS™是一种超级结@@@@MOSFET,以往的@@超级结@@@@MOSFET的@@问题在于内部寄生二极管的@@反向恢复时间@@trr特性@@,而@@PrestoMOS™系列产品不仅具有更短的@@反向恢复时间@@trr,而@@且损耗更低@@@@。

PrestoMOS

与@@IGBT相比@@,PrestoMOS™在中低功率范围内的@@损耗电压很小@@,因而@@可以减少损耗@@(参见左下图@@)。另外@@,在电机驱动电路等电路中@@,还可以使用高速内部寄生二极管@@,而@@无需使用外置快速恢复二极管@@(FRD)来减少由普通@@MOSFET和@@IGBT的@@再生电流引起的@@换流损耗@@@@。与@@FRD相比@@,PrestoMOS™的@@寄生二极管的@@@@VF更低@@,因此损耗也更低@@@@。

换流损耗@@

产品阵容@@

文章来源@@:罗姆半导体集团@@ 

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