一文认识晶体管@@的@@逆向电流@@、封装功率@@、频率特性@@

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关于晶体管@@@@ON时的@@逆向电流@@

在@@NPN晶体管@@中@@,基极@@ (B) 被偏置为@@正@@,集电极@@@@ (C) 被偏置为@@负@@,由发射极@@ (E) 流向@@C的@@是逆电流@@。

电极@@

1. 不用担心劣化和@@损坏@@,在@@使@@用上是没有问题的@@@@

2. NPN-Tr的@@B和@@C对称@@、和@@E极同样是@@N型@@。
也就是说@@,逆接@@C、E也同样有晶体管@@的@@功效@@。即@@电流由@@E→C流动@@。

电极@@

3. 逆向晶体管@@有如下特点@@。

  • hFE低@@(正向约@@10%以下@@)
  • 耐压低@@@@ (7 to 8V 与@@VEBO一样低@@@@)
    ↑通用@@TR的@@情况@@,除此之外@@,还有@@5V以下@@
    (突破此耐压范围@@,会发生@@hFE低@@下等特性的@@劣化@@,请注意@@。)
  • VCE(sat)及@@VBE(ON)的@@特性没有太大的@@变化@@

关于封装功率@@容许功@@

定义@@:是指由于输入晶体管@@的@@电压@@、电流产生的@@功耗在@@金宝博@@手机登录@@ 发热时@@,结温@@Tj为@@绝对最大额定值@@限定的@@温度@@(Tj=150°C)时的@@功率@@。

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这里@@,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定@@时的@@设定值@@或测定@@结果直接得出@@,但是@@只有@@Tj不能直接得出@@。因此@@,如下列出使@@用@@VBE的@@测试方法@@。

VBE测定@@法@@ 硅晶体管@@的@@情况@@下@@@@ 基极@@-发射极间电压@@:VBE根据温度变化@@。

热电阻测量电路@@

图@@1. 热电阻测量电路@@

由此@@,通过测定@@@@VBE,可以推测结温@@@@。
通过图@@@@1的@@测定@@电路@@,对晶体管@@输入封装功率@@@@:PC(max)
(假设@@1W晶体管@@的@@情况@@下@@,输入条件为@@@@VCB=10V IE=100mA)

如图@@@@2:

  • 测定@@VBE的@@初始值@@@@VBE1
  • 对晶体管@@输入功率@@,使@@PN结热饱和@@@@
  • VBE的@@后续值@@@@:测定@@VBE2

从这个结果得出@@△VBE=VBE2-VBE1

这里@@,硅晶体管@@根据温度具有一定的@@温度系数@@。约为@@@@ー2.2mV/ºC。
(达林顿晶体管@@为@@@@ー4.4mV/ºC)
因此@@,根据由输入功率得出@@△VBE,可以由以下@@算式得出上升的@@结温@@@@。

图@@2. 进度表@@

图@@2. 进度表@@

fT:增益带宽@@积@@、截止频率@@

fT:增益带宽@@积@@指晶体管@@能够动作的@@极限频率@@@@。
所谓极限@@,即@@基极@@电流对集电极@@@@电流的@@比为@@@@1(即@@hFE=1)的@@情况@@。

频率特效@@

提高基极@@输入频率@@,hFE变低@@@@。
这时@@,hFE为@@1时的@@频率叫做@@fT(增益带宽@@积@@)。
fT指在@@该频率下能够工作的@@极限值@@@@。
但是@@,实际使@@用时能够动作的@@只有@@fT值@@的@@@@1/5 to 1/10左右@@。

测定@@条件如下@@
f: 根据测定@@装置而定@@。为@@测定@@的@@标准频率@@。
VCE:任意设定@@。我公司为@@一般值@@@@。
IC:任意设定@@。我公司为@@一般值@@@@。

文章来源@@:罗姆@@

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