【科普@@】什么是总栅极电荷@@@@(Qg)?

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何谓总栅极电荷@@@@(Qg)?

"总栅极电荷@@(Qg)是指为@@导通@@(驱动@@)MOSFET而注入到栅极电极的电荷量@@。 有时也称为@@栅极总电荷@@。"
单位为@@库仑@@(C),总栅极电荷@@值@@较大@@,则导通@@MOSFET所需的电容@@充电时间变长@@,开关损耗@@增加@@。数值@@越小@@@@,开关损耗@@(切换损耗@@)越小@@,从而可实现高速开关@@。

总栅极电荷@@和@@导通电阻@@

如上所述@@,总栅极电荷@@的值@@越小@@@@,开关损耗@@越小@@@@。而且@@,导通电阻值@@越小@@@@,工作时的功耗越小@@@@。
然而@@,总栅极电荷@@和@@导通电阻@@的特性处于权衡关系@@。
通常@@,MOSFET的芯片@@尺寸@@(表面积@@)越小@@,总电荷量越小@@@@,但导通电阻值@@会变大@@。
换句话说@@,开关损耗@@与工作时的功耗之间存在权衡关系@@。

动态输入特性@@

动态输入特性@@

动态输入特性@@

该图为@@动态输入@@(Qg –VGS)的特性例@@。
在图中@@,常温下的漏极侧电源电压@@(VDD )和@@漏极电流@@(ID )是固定特性@@, VDD = 300 V , ID = 30A 时所需的最小电荷量约为@@@@60nC。此时@@的栅源电压@@ (VGS ) 为@@6.5V。
实际上是在@@MOSFET完全导通的情况下@@,调整有权衡关系的导通电阻值@@@@,从而设定栅源电压@@(VGS ) 。
此时@@,可从图表读取设定电压和@@总栅极电荷@@@@(Qg)(例如@@, VGS = 10 V 时为@@@@85nC , VGS = 15V 时为@@@@ 130nC )。

文章来源@@:罗姆@@

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