三@@极管@@和@@@@MOSFET选型规范@@

Image

一@@、三@@极管@@和@@@@MOSFET器件选型原则@@@@

1、三@@极管@@及@@@@MOSFET分类简介@@@@

类型@@

类型@@细分@@

应用场景@@
三@@极管@@ 射频信号三@@极管@@@@ 射频开关及@@射频小信号@@放大@@@@
三@@极管@@ 普通小信号@@三@@极管@@@@ 小信号@@回路开关@@及@@信号放大@@@@
三@@极管@@ 功率@@三@@极管@@@@ 功率@@回路开关@@,推挽放大@@@@
MOSFET 小信号@@MOSFET 小信号@@回路开关@@
MOSFET 功率@@MOSFET(<=250V) AC-DC,DC-DC电源模块@@@@
MOSFET 功率@@MOSFET(600V~650V) AC-DC电源模块@@@@
MOSFET 功率@@MOSFET(800V~1000V) AC-DC电源模块@@@@,UPS,逆变器@@
MOSFET 功率@@MOSFET(1000V~1700V) 空调压缩机驱动电路@@@@
MOSFET 功率@@MOSFET(SIC)>=600V AC-DC电源模块@@@@(高效率@@)
MOSFET 功率@@MOSFET(GAN)(100V~600V) 超高频领域@@(1Mhz以@@上@@),更高@@Power density的@@应用领域@@。

(1)三@@极管@@选型原则@@@@

行业发展总趋势为@@@@:小型化@@、表贴化@@,高频化@@,高效率@@化@@,集成化@@,绿色化@@。重点突出小型化@@和@@表贴化@@@@。

近年来@@,随着@@MOSFET的@@发展@@,在@@低功率@@高速开关领域@@,MOSFET正逐步替代@@三@@极管@@@@,行业主流厂家对@@三@@极管@@的@@研发投入也逐年减少@@,在@@芯片技术方面基本没有@@投入@@,器件的@@技术发展主要体现在@@晶圆工艺的@@升级@@@@(6inch wafer转@@8inch wafer)及@@封装@@小型化@@及@@表贴化@@上@@。另外@@,相对@@普通三@@极管@@@@,RF三@@极管@@的@@主要发展方向是@@低压电压供电@@,低噪声@@,高频及@@高效@@。

选型原则@@如@@下@@@@:

1)禁选处于生命周期末期的@@插件封装@@器件@@,如@@TO92;

2)优选行业主流小型化@@表贴器件@@,如@@SOT23,STO323,SOT523等@@,对@@于@@多管应用@@,优先考虑双管封装@@如@@@@SOT363及@@SOT563;

3)对@@于@@开关应用场景@@@@,优先考虑选用@@MOSFET;

4)射频三@@极管@@优选低电压供电@@,低噪声@@,高频及@@高效@@器件@@。

(2)MOSFET选型原则@@

行业技术发展总趋势为@@@@:小型化@@、表贴化@@,高频化@@,高功率@@密度化@@,高效率@@化@@,高可靠性@@,集成化@@,绿色化@@。重点突出高频化@@@@,高功率@@密度化@@,高可靠性@@及@@集成化@@@@。

行业技术发展趋势主要体现在@@@@MOSFET芯片材料@@,晶圆技术@@,芯片技术及@@封装@@技术的@@演进及@@发展@@。选型原则@@如@@下@@@@:

禁止选用处于生命周期末期的@@插件封装@@器件@@(能源用@@TO220,TO247除外@@)及@@封装@@为@@@@@@SO8,DPAK的@@表贴器件@@。

对@@于@@信号@@MOSFET推荐选用栅极集成@@TVS保护@@的@@小型化@@表贴器件@@。

1)对@@于@@Vds<=250V的@@功率@@@@MOSFET

单管@@优选行业主流无@@引脚表贴功率@@封装@@@@POWERPAK 5X6及@@POWERPAK3X3,在@@散热不满足要求的@@情况下@@可考虑翼型带引脚表贴封装@@@@D2PAK;

Buck上下@@管集成方案优选下@@管@@sourcing down POWERPAK5X6 dual封装@@;

电源模块@@@@考虑到器件散热问题@@,可选行业主流插件封装@@@@TO220;

对@@于@@缓起及@@热插拔应用@@,选用器件时@@请重点评估器件是@@否工作在@@其@@安全工作区域@@

开关应用需同缓起@@,热插拔及@@@@ORing应用区分选型@@;

超高频领域@@(1MHz以@@上@@),可考虑用@@GANMOS替代@@,从而@@提高效率@@降低系统面积@@。

2)对@@于@@Vds介于@@600V~650V的@@高压@@功率@@@@MOSFET,其@@用于@@AC电源模块@@@@优先考虑选用@@@@Vds为@@650V的@@器件@@;

封装@@根据电源模块@@@@散热及@@结@@构设计要求推荐选用表贴器件@@POWERPAK 8X8及@@插件@@TO247,未来还可考虑表贴器件@@POWERPAK5X6;

对@@于@@在@@电路@@中工作频率不高的@@场景如@@当前@@PFC电路@@,优选寄生二@@极管不带快恢复特性@@的@@@@MOSFET(如@@INFINEON C3,C6,P6系类@@),对@@于@@电路@@中工作频率较高的@@场景如@@@@LLC电路@@,优选寄生二@@极管带恢复特性@@的@@@@MOSFET(如@@INFINEON CFD系列@@);

对@@于@@电源效率要求不是@@特别高的@@场景@@,部分@@MOSFET可以@@考虑用高速@@IGBT替换@@,达到降成本的@@目的@@@@。对@@于@@高效模块@@@@,可考虑选用@@SIC MOSFET替代@@传统@@Si MOSFET,达到提升电源工作效率的@@目的@@@@;

对@@于@@Vds高于@@800V的@@MOSFET,如@@果@@Id大@@于@@5A,建议考虑选用@@IGBT,如@@果@@Id小于@@5A,建议选用行业主流封装@@@@TO247,TO220或@@D2PAK;

原则上禁止选用耗尽性@@JFET,如@@遇到特殊电流需使用@@,请在@@行业主流封装@@@@SOT23Z中选择@@。

二@@、三@@极管@@和@@@@MOSFET器件选型关键要素@@@@

1、三@@极管@@选型关键要素@@@@

三@@极管@@在@@电路@@中有@@放大@@和@@开关两种作用@@,目前@@在@@我司的@@电路@@中三@@极管@@主要起开关作用@@。在@@选择三@@极管@@的@@时@@候@@,从以@@下@@@@几个方面进行考虑@@:参数@@、封装@@、性能@@(低压降@@、低阻抗@@、高放大@@倍@@数@@、高开关效率@@)

1)参数@@的@@选择@@:三@@极管@@有@@很多参数@@@@,选型对@@于@@三@@极管@@的@@参数@@没有@@特殊的@@要求@@,需要关注@@的@@参数@@有@@@@Vceo、Vcbo、Vebo、Ic(av)、Pd、Hef。比较重要的@@参数@@是@@@@Vceo、Ic(av),对@@于@@Vceo的@@值@@@@有@@时@@厂家会给@@Vces的@@值@@@@,不能用@@Vces的@@值@@@@作为@@@@Vceo,因为@@@@Vces=Vcbo>Vceo。如@@果@@器件的@@电压和@@电流值@@在@@降额后@@满足需求@@,Pd可以@@不用过多的@@去考虑@@(三@@极管@@做放大@@用@@、作电压线性转@@化以@@及@@三@@极管@@功率@@比较大@@的@@场合需要考虑@@Pd)。

在@@满足降额规范要求的@@前提下@@@@,考虑输出电流和@@相应的@@耗散功率@@@@,击穿电压大@@小@@,放大@@倍@@数等@@参数@@@@。同时@@@@,应尽量选用热阻@@小@@,允许结@@温高的@@器件@@@@。

2)封装@@:三@@极管@@的@@封装@@的@@发展@@趋势是@@小型化@@@@、表贴化@@、平脚化@@、无@@引脚化@@。

封装@@质量优劣的@@是@@用芯片面积与@@封装@@面积的@@比值@@来判断的@@@@,比值@@越接近@@1越好@@。目前@@三@@极管@@最小封装@@是@@@@sot883(DFN1006-3),优选封装@@有@@@@sot883、sot663、sot23、sot89、sot223、sot666。由于@@三@@极管@@的@@功率@@@@需求越来越小@@,所以@@小封装@@三@@极管@@是@@其@@引进的@@一@@个方向@@,在@@参数@@满足规格的@@前提下@@尽量选择小封装@@@@。

3)性能@@:选择低@@Vce(sat)的@@、低阻抗@@的@@器件@@@@。目前@@NXP、ON、ZETEX等@@均推出了低饱和@@压降的@@器件@@@@,在@@选型时@@可以@@优先考虑@@。

2、MOSFET选型关键要素@@

(1)电压极限参数@@@@

1)漏源击穿电压@@V(BR)DSS

漏源击穿电压@@V(BR)DSS一@@般是@@在@@结@@温@@Tj=25℃下@@,VGS=0V,ID为@@数百@@A下@@的@@@@测试值@@@@,由于@@V(BR)DSS和@@Rds(on)成反比@@,因此@@多数厂家@@MOSFET的@@上限为@@@@1000V。V(BR)DSS与@@温度有@@关@@,Tj上升@@100℃,V(BR)DSS约线性增加@@@@10%。反之@@,Tj下@@降时@@@@,V(BR)DSS以@@相同@@比例下@@降@@。这一@@特性@@可以@@看作@@MOSFET的@@优点之一@@@@,它保证了内部成千上万个元胞在@@雪崩击穿时@@@@,难以@@使雪崩电流密集于某一@@点而@@导致器件损坏@@@@(不同于功率@@三@@极管@@@@@@)。

2)最大@@额定栅源电压@@VGS

栅源之间@@的@@@@SiO2氧化层很薄@@,因此@@在@@二@@者之间@@加上不高的@@电压就会在@@内部形成很高的@@电场@@,而@@电场超过@@SiO2材料的@@承受能力便发生击穿导致器件失效@@。

最大@@额定栅源电压@@VGS多数厂家资料为@@@@20V,(对@@于@@低驱动电压的@@低压@@MOSFET一@@般为@@@@10V)。目前@@很多厂对@@于@@高驱动电压@@MOSFET已将此极限电压提高到@@@@30V。SIC MOSFET则多为@@@@10V~25V间@@,启动电压不对@@称@@,选用时@@需注@@意驱动部分@@的@@设计@@。

(2)影响损耗的@@主要参数@@@@

对@@于@@MOSFET,当频率小于@@@@100KHz时@@,主要是@@导通损耗占的@@比重最大@@@@。因此@@影响损耗的@@主要参数@@@@为@@通态电阻@@Rds(on)。一@@般厂家给出的@@@@Rds(on)值@@,是@@在@@规定的@@@@VGS(如@@10V)ID(一@@般为@@@@标称电流值@@@@)、Tj(一@@般为@@@@25℃)条件下@@的@@@@值@@@@@@。

对@@于@@Rds(on),有@@以@@下@@@@特性@@@@:对@@生产厂家来说@@,在@@相同@@设计及@@工艺条件下@@@@,如@@果@@提高@@MOSFET的@@Rds(on)值@@,会导致@@Rds(on)升高@@。Rds(on)值@@随着@@结@@温升高@@@@而@@近似线性升高@@@@。其@@结@@果是@@导致损耗增加@@@@,例如@@下@@图@@@@IRF640的@@Rds(on)与@@Tj关系图@@@@,如@@果@@结@@温在@@@@120℃时@@,Rds(on)值@@将是@@@@25℃时@@的@@@@1.8倍@@。因此@@导通损耗@@I2*Rds(on)也将增加@@到@@1.8倍@@;相对@@于@@@@Si MOSFET,SiC MOSFET由于@@其@@禁带宽@@度较@@Si MOSFET宽@@,所以@@其@@温度特性@@明显优于@@Si MOSFET。在@@150℃的@@条件下@@@@,SIC MOSFET的@@Rds(on)仅仅比在@@@@25℃条件下@@增加@@@@20%。

图@@1  Rds(on)与@@Tj关系图@@@@

图@@1  Rds(on)与@@Tj关系图@@@@

与@@VGS的@@关系@@:为@@了将@@Rds(on)降低到最小@@,至少@@VGS要提高到@@@@10V(4V驱动的@@产品@@约外加@@5V)才可降到最小@@。此外@@,即使将@@VGS提高到@@12V~15V以@@上@@,也不会对@@@@Rds(on)的@@降低起多大@@作用@@(如@@果@@在@@占空比小的@@情况下@@有@@接近或@@超出直流额定电流的@@运用@@,另当别论@@),不必要地增大@@@@这种栅压@@,会加大@@充电电流@@,增加@@驱动损耗@@,并容易在@@栅源间@@发生尖峰电压@@。增加@@栅源击穿的@@失效概率@@。因此@@对@@于@@一@@般的@@@@MOSFET,12V驱动即可@@。

相同@@的@@结@@温下@@@@,随着@@ID增大@@@@,Rds(on)有@@轻微增大@@@@@@。计算功耗@@时@@@@,可以@@忽略该变化@@。在@@实际使用中@@,如@@果@@增大@@@@@@ID值@@,导致发热上升@@@@,那是@@因为@@@@散热条件@@(热阻@@)不变@@,ID增加@@,功耗@@P= I2* Rds(on)增加@@,结@@温升高@@@@,Rds(on)随之升高@@@@,进一@@步加大@@功耗@@@@。

另外@@,当频率超过@@100KHz后@@,开关损耗所占的@@比例不能忽视@@,这时@@就必须注@@意@@器件本身的@@栅极电荷@@@@Qg,输出电容@@Coss,以@@及@@栅极驱动电阻对@@开关损耗的@@影响@@。特别是@@通态电阻越小的@@@@MOSFET,通常其@@元胞密度就越大@@@@,因此@@Qg、Coss就会越大@@@@,这就会增大@@@@开关损耗@@。

近来@@,由于@@MOSFET的@@应用频率进一@@步提高@@,在@@低压大@@电流的@@@@MOSFET生产上@@,还需注@@意从工艺设计上改善@@MOSFET内部寄生的@@@@Rg,以@@降低@@MOSFET的@@开关损耗@@,提高应用频率@@(或@@提高电流@@)

(3)电流处理能力参数@@@@

限制电流处理能力的@@最终因素是@@最大@@可允许结@@温@@@@(通常厂家规定为@@@@150℃)。一@@般用可持续直流漏极@@电流@@@@ID、额定峰值@@电流@@IDM来表征@@。

1)可持续直流漏极@@电流@@ID

实际可允许最大@@@@ID值@@是@@决定于@@Rds(on)、结@@-壳热阻@@@@RJC(它决定于器件的@@芯片封装@@材料及@@工艺水平@@)、最大@@可允许结@@温@@Tj,以@@及@@壳温@@Tc等@@机构参数@@@@。它们满足一@@下@@公式@@:I2* Rds(on)*Rjc=Tjmax-Tc

其@@中@@Rds(on)、Rjc、Tjmax由器件本身的@@特性@@决定@@,Tc则与@@设计有@@关@@,如@@散热条件@@、功耗@@等@@@@(注@@:可允许最大@@漏极@@功耗@@@@Pd= I2*Rds(on)=(Tjmax-Tc)/Rjc)。一@@般厂家资料给出的@@是@@壳温下@@的@@@@@@ID值@@,另外@@有@@些厂家还给出了最大@@@@ID和@@Tc之间@@的@@关系@@曲线@@。

ID与@@Tc关系图@@@@

图@@2  ID与@@Tc关系图@@@@

以@@IRF640为@@例@@,电流标称值@@为@@@@@@18A(Tc=25℃下@@),其@@ID和@@Tc的@@关系@@如@@上图@@@@@@。由图@@可见@@,当壳温有@@@@25℃变到@@125℃时@@,可见最大@@直流漏极@@电流由@@18A下@@降到@@8A。必须注@@意@@,Tc=25℃下@@的@@@@ID仅仅具有@@参考意义@@(可以@@进行不同管子之间@@的@@比较@@),因为@@@@它是@@假定散热条件足够的@@好@@,外壳温度始终为@@@@25℃(在@@实际应用中@@,根本不可能@@),从而@@根据公式@@I2* Rds(on)*Rjc=Tjmax-Tc推算出来的@@@@。但在@@实际应用情况下@@@@,由于@@环境温度和@@实际散热条件的@@限制@@,壳温通常远远大@@于@@@@25℃,且最高结@@温通常要保持在@@@@20℃以@@上@@的@@降额@@。因此@@,可允许直流漏极@@电流必须随温度升高@@而@@降额使用@@。

2)额定峰值@@电流@@IDM

如@@果@@电流脉冲或@@占空比较小时@@@@,则允许其@@超过@@ID值@@,但其@@脉冲宽@@度或@@占空比需要受到最大@@可允许结@@温@@的@@限制@@。一@@般厂家资料规定@@25℃下@@的@@@@额定峰值@@电流@@@@IDM值@@为@@@@ID值@@的@@四倍@@@@,并且是@@在@@@@VGS=20V下@@得到的@@@@。

(4)与@@栅极驱动有@@关的@@参数@@@@

由于@@在@@@@G、D、S各极之间@@存在@@不可避免的@@寄生电容@@@@。因此@@,在@@驱动时@@@@,该电容器有@@充放电电流和@@充放电时@@间@@@@,这便是@@驱动损耗@@、开关损耗产生的@@根本原因@@。器件的@@开关特性@@通常以@@@@Qg来衡量@@。

1)输入电容@@Ciss、反向传输电容@@Crss、输出电容@@Coss

由于@@在@@@@G、D、S各极之间@@存在@@不可避免的@@寄生电容@@@@,因此@@,在@@驱动时@@@@,改电容器有@@充放电电流和@@充放电时@@间@@@@,这便是@@驱动损耗@@、开关损耗产生的@@根本原因@@。器件的@@开关特性@@通常以@@@@Qg来衡量@@。

MOSFET寄生电容@@

图@@3  MOSFET寄生电容@@

如@@上图@@@@,Ciss=Cgd+Cgs,Crss=Cgd,Coss=Cds+Cgd

2)总的@@栅极电荷@@@@Qg

它表示在@@开通过程中要达到规定的@@栅极电压所需要的@@充电电荷@@。是@@在@@规定的@@@@VDS、ID及@@VGS(一@@般为@@@@10V)条件下@@测得的@@@@。

由于@@弥勒效应的@@存在@@@@,Cgd虽然比@@Cgs小很多@@,但在@@驱动过程中它起的@@作用最大@@@@,因此@@客观来讲@@,考察@@MOSFET的@@Qg比考察@@@@Ciss等@@来得更为@@准确一@@些@@。

另外@@还有@@栅极电荷@@@@Qge、栅极电荷@@(弥勒电荷@@)Qgd两个参数@@@@。

如@@下@@图@@以@@@@IRF640为@@例@@,示意它们的@@波形@@。

栅极电荷@@与@@@@VG

图@@4  栅极电荷@@与@@@@VG

3)栅极电阻@@Rg,开通延迟时@@间@@@@td(on)、上升@@时@@间@@@@tr、关断延迟时@@间@@@@td(off)、下@@降时@@@@间@@@@tf

同样描述的@@是@@器件的@@开关性能@@@@,同时@@@@关系到器件的@@驱动损耗@@。其@@具体值@@与@@测试条件密切相关@@。比较不同的@@管子时@@尤其@@要引起注@@意@@。否则容易为@@厂家所误导@@。

(5)与@@可靠性有@@关的@@参数@@@@

1)最大@@可允许结@@温@@Tjmax

这是@@可靠性最为@@重要的@@参数@@@@,对@@MOSFET,一@@般厂家都标为@@@@150℃,也有@@@@125℃和@@175℃的@@特殊半导体器件@@。

2)雪崩额定值@@@@

由于@@漏感和@@分布电感以@@及@@关断时@@的@@@@@@di/dt,可能会产生电压尖峰从而@@强制@@MOSFET进入雪崩击穿区@@,VDS被钳制在@@实际的@@击穿电压点@@,但如@@果@@进入雪崩击穿区@@的@@实际很短@@,能量很小@@,器件本身则可以@@将其@@消耗掉而@@不至于损坏@@@@。

有@@三@@个参数@@能表征这一@@特性@@@@,即可允许单次脉冲雪崩能量@@EAS、可允许重复脉冲雪崩能量@@EAS(脉宽@@受到最大@@结@@温限制@@)、发生雪崩时@@的@@@@初始最大@@雪崩电流@@IAR。雪崩能量额定值@@随结@@温升高@@@@而@@显著下@@降@@,随发生雪崩时@@起始电流的@@增加@@而@@下@@降@@。

如@@果@@器件工作时@@有@@雪崩情况@@,注@@意在@@老化工程中@@,由于@@结@@温会相应升高@@@@,雪崩能力会相应下@@降@@,如@@果@@下@@降到@@一@@定程度则有@@可能是@@器件损坏@@@@,并且这种损坏@@通常只呈现一@@定的@@比例@@。(当然也有@@@@可能是@@其@@它原因引起@@MOSFET损坏@@,如@@变压器在@@高温大@@电流下@@的@@@@磁饱和@@@@)

3)栅极漏电流@@IGSS、漏极@@断态漏电流@@IDSS

这两个参数@@@@在@@具体设计时@@可能用不到@@,但它限制了器件内部工艺@@、材料的@@好坏@@,其@@值@@尽管可能是@@小到@@mA级@@或@@@@uA级@@,但比较器件时@@@@,通过测试它随电压变化@@(尤其@@是@@高温下@@@@)的@@情况也可以@@比较判断器件的@@优劣@@。

(6)与@@寄生源漏二@@极管有@@关的@@参数@@@@

在@@某些电路@@可能要运用到体内二@@极管进行续流@@,此时@@则需要考察@@二@@极管的@@参数@@@@。

1)的@@dv/dt值@@

体寄生二@@极管续流时@@@@,少子空穴也参与@@了导电@@,并且浓度很高@@,当二@@极管导通周期结@@束@@,外电路@@使二@@极管反转@@时@@@@,如@@果@@D、S之间@@的@@电压上升@@过快@@,大@@量少子空穴有@@一@@部分@@来不及@@复合掉@@,引起横向流过体区的@@电流@@,该电流在@@@@P+区和@@源区@@N+之间@@形成的@@压降可能使寄生的@@三@@极管@@导通@@,(漏极@@D相当于寄生@@NPN三@@极管@@的@@集电极@@、P+相当于基极@@,源极@@S极相当于发射极@@,基极发射极有@@正向压降@@时@@@@,由于@@dv/dt大@@,电压上升@@快@@,集电极与@@发射极之间@@也有@@@@正电压@@,因此@@寄生三@@极管@@导通@@),电流会密集于第一@@个导通的@@元胞@@,从而@@使器件热击穿损坏@@@@。

2)其@@它参数@@@@

a.反向恢复特性@@@@,有@@反向恢复电荷@@、反向恢复时@@间@@@@。续流运用时@@要考虑匹配@@。

b.电流电压参数@@@@,有@@正向压降@@VSD,其@@电流参数@@@@IS、ISM与@@ID、IDM相同@@,相对@@于@@@@SI MOSFET,SIC MOSFET的@@寄生二@@极管的@@正向压降@@,这是@@因为@@@@@@SIC的@@拐点电压@@(Knee voltage:point at which diode turn on)是@@Si的@@3倍@@,这非常近似于它们禁带宽@@度的@@比值@@@@,因此@@SIC MOSFET的@@VSD约为@@@@2.5V,而@@Si MOSFET的@@VSD约为@@@@0.8V。

(7)封装@@

封装@@选用主要结@@合系统的@@结@@构设计@@,热设计@@,单板加工工艺及@@可靠性考虑@@,选择具有@@合适封装@@形式及@@热阻@@的@@封装@@@@。常见功率@@@@MOSFET封装@@为@@@@DPAK、D2PAK、PowerPAK 5X6、PowerPAK 3X3、DirectFET、TO220、TO247,小信号@@MOSFET对@@应的@@@@SOT23,SOT323等@@,后@@继引进中主要考虑@@PowerPAK 8X8,PowerPAK SO8 5X6 Dual,PowerPAK 5X6 dual cool,SO8封装@@器件在@@行业属退出@@期器件@@,选型时@@禁选@@,DPAK封装@@器件在@@行业属饱和@@期器件@@,选型时@@限选@@;插件封装@@在@@能源场景应用中优选@@,比如@@@@TO220,TO247。

三@@、附录@@A:厂商@@分析@@

厂商@@

国别@@

简介@@

INFINEON

德国@@

1999年从西门子拆分出来@@,主力提供半导体和@@系统解决方案@@,解决在@@高能效@@、移动性和@@安全性方面带来的@@挑战@@,其@@高压@@功率@@@@MOSFET及@@IGBT技术优势明显@@,加上收购了@@IR(IR在@@LV/MV MOS行业技术领先且占有@@率第一@@@@),因此@@INFINEON可提供功率@@@@MOSFET及@@IGBT全系列@@产品@@@@@@,目前@@已收购@@CREE,后@@续在@@@@SIC功率@@器件将占主导地位@@。

三@@菱电机@@

(VINCOTECH)

日本@@

1921年成立@@,综合性企业@@,2012年收购德国@@厂家@@VINCOTECH,非功率@@@@MOSFET厂商@@,其@@在@@@@IGBT模块@@领域有@@完整的@@产业链@@,其@@模块@@主要用于机车牵引领域@@,电动汽车@@,电机控制领域@@。VINCOTECH为@@逆变器@@@@IGBT模块@@主流厂家@@,内部芯片外购@@@@。

ST

意法@@

2000年成立@@,有@@SGS和@@汤姆逊公司合并@@,半导体综合类厂家@@,其@@高压@@功率@@@@MOSFET及@@IGBT单管@@技术领先@@,不提供@@IGBT模块@@。

ON

美国@@

1999年成立@@,前身为@@@@motorala半导体元器件部@@,其@@功率@@@@MOSFET以@@中低压@@为@@主@@@@,现收购了@@FSC(中高压@@@@),虽在@@中压部分@@有@@重合@@,但已开始进军高压@@领域@@,2012年起开始发展@@IGBT单管@@及@@@@IGBT模块@@业务@@。

VISHAY

美国@@

1962年成立@@,老牌分立器件厂家@@,其@@中@@低压@@MOSFET行业占有@@率高@@,仅提供如@@@@SOT227封装@@的@@少量模块@@@@,目前@@已有@@部分@@高压@@@@MOS产品@@

RENESAS

日本@@

2003年由三@@菱@@,日立及@@@@NEC合资成立@@,半导体综合厂商@@@@,其@@2013年宣布功率@@@@MOSFET退出@@PC市场@@,目前@@重点发展@@IGBT单管@@。

TOSHIBA

日本@@

1939年成立@@,日本@@最大@@半导体厂商@@@@,其@@功率@@@@MOSFET产品@@系列@@全@@(从高压@@到低压@@),IGBT重点业务在@@单管@@@@,主要市场@@家电@@,封装@@同业界主流不同@@,以@@TO3为@@主@@,后@@续会发展模块@@@@

FUJI

日本@@

1923年由日本@@古河同西门子合资成立@@@@,其@@功率@@@@OSFET产品@@线较窄@@,仅提供部分@@高压@@@@MOS,IGBT/模块@@产业链完整有@@自有@@芯片@@。

IXYS

美国@@

1983年成立@@,功率@@半导体行业技术领先公司@@,产品@@主要用于工业@@,其@@功率@@@@MOSFET,IGBT单管@@规格偏@@,且价格高@@

MICROSEMI

美国@@

1995年成立@@,时@@一@@家专注@@高可靠性@@的@@@@功率@@半导体公司@@,自收购@@APT后@@涉足工业及@@通信领域@@,其@@功率@@@@MOSFET/IGBT/模块@@价格高@@,性能@@优势不明显@@,主要做军品@@。

NXP

荷兰@@

2006年成立@@,前身为@@@@飞利浦事业部之一@@@@,半导体综合类公司@@,其@@功率@@@@MOSFET产品@@聚焦在@@@@100V以@@下@@@@,高压@@MOSFET,IGBT及@@IGBT模块@@

PANASONIC

日本@@

1918年成立@@,是@@日本@@最大@@的@@电机制造商@@,分立器件产品@@线管@@,功率@@MOSFET以@@中低为@@主@@@@,无@@IGBT/模块@@,功率@@GaN FET行业领先@@

ROHM

日本@@

1958年成立@@,综合类半导体公司@@,尤其@@擅长器件小型化@@@@,MOSFET以@@小信号@@为@@主@@@@,SIC器件行业领先@@@@,IGBT芯片产品@@线较窄@@@@。

SEMIKRON

德国@@

1951年成立@@,专注@@于功率@@半导体模块@@的@@封装@@@@,其@@封装@@技术优势明显@@@@,无@@功率@@@@MOSFET,IGBT单管@@,IGBT模块@@产品@@线齐全@@,芯片外购@@

TI

美国@@

1951年成立@@,半导体综合类厂商@@@@,行业地位高@@,功率@@MOSFET以@@中低压@@100V以@@下@@@@为@@主@@@@,无@@IGBT单管@@及@@@@模块@@@@

文章来源@@:硬件十万个为@@什么@@

免责声明@@:本文为@@网@@络转@@载文章@@,转@@载此文目的@@在@@于传播相关技术知识@@,版权归原作者所有@@@@,如@@涉及@@侵权@@,请联系小编删除@@(联系邮箱@@:service@eetrend.com )。

文章分类@@

相关文章@@

最新内容@@

关注@@微信公众号@@@@,抢先看到最新精选资讯@@

关注@@村田@@中文技术社区微信号@@@@,每天收到精选设计资讯@@