【科普@@】何谓@@MEMS?

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MEMS是@@Micro Electro Mechanical Systems(微机电系统@@)的缩写@@,具有@@微小的立体结构@@(三维结构@@),是@@处理各种输入@@、输出信号的系统的统称@@。

是@@利用微细加工技术@@,将机械零零件@@、电子电路@@、传感器@@、执行机构集成在@@一块电路板上的高附加值@@金宝博@@手机登录@@@@ 。

MEMS工艺@@
MEMS工艺@@以成膜@@工序@@、光刻工序@@、蚀刻@@工序等@@常规半导体工艺@@流程为基础@@。

MEMS工艺@@

下面介绍@@MEMS工艺@@的部分关键技术@@。

晶圆@@

SOI晶圆@@

SOI是@@Silicon On Insulator的缩写@@,是@@指在@@氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆@@@@。已广泛应用于功率金宝博@@手机登录@@@@ 和@@MEMS等@@,在@@MEMS中可以使用氧化膜层作为硅蚀刻@@的阻挡层@@,因此能够形成复杂的三维立体结构@@。
 

SOI晶圆@@

TAIKO磨削@@  “TAIKO”是@@DISCO株式会社的商标@@

TAIKO磨削@@是@@@@DISCO公司开发的技术@@,在@@磨削@@晶圆@@@@时保留最外围的边缘@@,只对其内侧进行磨削@@@@。

TAIKO磨削@@

TAIKO磨削@@与通常的磨削@@相比@@,具有@@“晶圆@@曲翘减少@@”、“晶圆@@强度更高@@”、“处理容易@@”、“与其他工艺@@的整合性更高@@”等@@优点@@。

晶圆@@粘合@@/热剥离片工艺@@@@

通过使用支撑晶圆@@和@@热剥离片@@,可以轻松对薄化晶圆@@进行处理等@@@@。

薄化晶圆@@处理@@

晶圆@@键合@@

晶圆@@键合@@大致分为@@“直接键合@@”、“通过中间层键合@@”2类@@。

晶圆@@键合@@

直接键合@@不使用粘合剂等@@@@,是@@利用热处理产生的分子间力使晶圆@@相互粘合的键合@@,用于制作@@SOI晶圆@@等@@@@。
通过中间层键合@@是@@借助粘合剂等@@使晶圆@@互相粘合的键合方法@@。

晶圆@@

蚀刻@@

各向同性蚀刻@@与各向异性蚀刻@@@@

通过在@@低真空中放电使等@@离子体产生离子等@@粒子@@,利用该粒子进行蚀刻@@的技术称为@@反应离子蚀刻@@@@@@。

等@@离子体中混合存在@@着携带电荷的离子和@@中性的自由基@@,具有@@利用自由基的各向同性蚀刻@@@@、利用离子的各向异性蚀刻@@两种蚀刻@@作用@@。

各向同性蚀刻@@与各向异性蚀刻@@@@

硅深度蚀刻@@@@

集各向异性蚀刻@@和@@各向同性蚀刻@@的优点于一身的博世工艺@@技术已经成为了硅深度蚀刻@@@@的主流技术@@。

Home> 电子小百科@@> MEMS MEMS   打印本頁@@  wechatweChat 何谓@@MEMS? MEMS是@@Micro Electro Mechanical Systems(微机电系统@@)的缩写@@,具有@@微小的立体结构@@(三维结构@@),是@@处理各种输入@@、输出信号的系统的统称@@。 是@@利用微细加工技术@@,将机械零零件@@、电子电路@@、传感器@@、执行机构集成在@@一块电路板上的高附加值@@金宝博@@手机登录@@@@
。  MEMS工艺@@ MEMS工艺@@以成膜@@工序@@、光刻工序@@、蚀刻@@工序等@@常规半导体工艺@@流程为基础@@。  基本的@@MEMS工艺@@  下面介绍@@MEMS工艺@@的部分关键技术@@。  晶圆@@ SOI晶圆@@ SOI是@@Silicon On Insulator的缩写@@,是@@指在@@氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆@@@@。已广泛应用于功率金宝博@@手机登录@@@@
和@@MEMS等@@,在@@MEMS中可以使用氧化膜层作为硅蚀刻@@的阻挡层@@,因此能够形成复杂的三维立体结构@@。 SOI晶圆@@  TAIKO磨削@@  “TAIKO”是@@DISCO株式会社的商标@@  TAIKO磨削@@是@@@@DISCO公司开发的技术@@,在@@磨削@@晶圆@@@@时保留最外围的边缘@@,只对其内侧进行磨削@@@@。  TAIKO磨削@@ TAIKO磨削@@晶圆@@@@  TAIKO磨削@@与通常的磨削@@相比@@,具有@@“晶圆@@曲翘减少@@”、“晶圆@@强度更高@@”、“处理容易@@”、“与其他工艺@@的整合性更高@@”等@@优点@@。  晶圆@@粘合@@/热剥离片工艺@@@@ 通过使用支撑晶圆@@和@@热剥离片@@,可以轻松对薄化晶圆@@进行处理等@@@@。 晶圆@@粘合@@示例@@(薄化晶圆@@的处理@@)  晶圆@@键合@@ 晶圆@@键合@@大致分为@@“直接键合@@”、“通过中间层键合@@”2类@@。 晶圆@@键合@@  直接键合@@不使用粘合剂等@@@@,是@@利用热处理产生的分子间力使晶圆@@相互粘合的键合@@,用于制作@@SOI晶圆@@等@@@@。 通过中间层键合@@是@@借助粘合剂等@@使晶圆@@互相粘合的键合方法@@。  通过中间层键合@@ 蚀刻@@ 各向同性蚀刻@@与各向异性蚀刻@@@@ 通过在@@低真空中放电使等@@离子体产生离子等@@粒子@@,利用该粒子进行蚀刻@@的技术称为@@反应离子蚀刻@@@@@@。 等@@离子体中混合存在@@着携带电荷的离子和@@中性的自由基@@,具有@@利用自由基的各向同性蚀刻@@@@、利用离子的各向异性蚀刻@@两种蚀刻@@作用@@。 反应离子蚀刻@@@@  硅深度蚀刻@@@@

通过重复进行@@Si蚀刻@@⇒聚合物沉积@@⇒底面聚合物去除@@,可以进行纵向的深度蚀刻@@@@。
侧壁的凹凸因形似扇贝@@,称为@@“扇贝形貌@@”。

硅深度蚀刻@@@@

成膜@@

ALD(原子层沉积@@)
ALD是@@Atomic Layer Deposition(原子层沉积@@)的缩写@@,是@@通过重复进行@@材料供应@@(前体@@)和@@排气@@,利用与基板之间的表面反应@@,分步逐层沉积原子的成膜@@方式@@。
通过采用这种方式@@,只要有成膜@@材料可以通过的缝隙@@,就能以纳米等@@级的膜厚控制@@,在@@小孔侧壁和@@深孔底部等@@部位成膜@@@@,在@@深度蚀刻@@时的聚合物沉积@@等@@@@MEMS加工中形成均匀的成膜@@@@。

ALD(原子层沉积@@)ALD

文章来源@@:罗姆官网@@@@ 

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