一文认识晶体管@@的@@逆向电流@@、封装功率@@、频率特性@@

关于晶体管@@@@ON时的@@逆向电流@@

在@@NPN晶体管@@中@@，基极@@ (B) 被偏置为@@正@@，集电极@@@@ (C) 被偏置为@@负@@，由发射极@@ (E) 流向@@C的@@是逆电流@@。

1. 不用担心劣化和@@损坏@@，在@@使@@用上是没有问题的@@@@

2. NPN-Tr的@@B和@@C对称@@、和@@E极同样是@@N型@@。
也就是说@@，逆接@@C、E也同样有晶体管@@的@@功效@@。即@@电流由@@E→C流动@@。

3. 逆向晶体管@@有如下特点@@。

• h_FE低@@（正向约@@10%以下@@）
• 耐压低@@@@ (7 to 8Ｖ 与@@V_EBO一样低@@@@)
  ↑通用@@TR的@@情况@@，除此之外@@，还有@@5V以下@@
  (突破此耐压范围@@，会发生@@h_FE低@@下等特性的@@劣化@@，请注意@@。)
• V_CE(sat)及@@V_BE(ON)的@@特性没有太大的@@变化@@

关于封装功率@@容许功@@

定义@@：是指由于输入晶体管@@的@@电压@@、电流产生的@@功耗在@@金宝博@@手机登录@@@@ 发热时@@，结温@@Tj为@@绝对最大额定值@@限定的@@温度@@(Tj＝150°C)时的@@功率@@。

这里@@，P_C、Ta、△Tx、Px可以由各自测定@@时的@@设定值@@或测定@@结果直接得出@@，但是@@只有@@Tj不能直接得出@@。因此@@，如下列出使@@用@@V_BE的@@测试方法@@。

V_BE测定@@法@@ 硅晶体管@@的@@情况@@下@@@@ 基极@@-发射极间电压@@：V_BE根据温度变化@@。

图@@1. 热电阻测量电路@@

由此@@，通过测定@@@@V_BE，可以推测结温@@@@。
通过图@@@@1的@@测定@@电路@@，对晶体管@@输入封装功率@@@@：P_C(max)。
(假设@@1W晶体管@@的@@情况@@下@@，输入条件为@@@@V_CB=10V I_E=100mA)

如图@@@@2:

• 测定@@V_BE的@@初始值@@@@V_BE1
• 对晶体管@@输入功率@@，使@@PN结热饱和@@@@
• V_BE的@@后续值@@@@：测定@@V_BE2

从这个结果得出@@△V_BE=V_BE2-V_BE1。

这里@@，硅晶体管@@根据温度具有一定的@@温度系数@@。约为@@@@ー2.2mV/ºC。
（达林顿晶体管@@为@@@@ー4.4mV/ºC）
因此@@，根据由输入功率得出@@△V_BE，可以由以下@@算式得出上升的@@结温@@@@。

图@@2. 进度表@@

f_T：增益带宽积@@、截止频率@@

f_T：增益带宽积@@指晶体管@@能够动作的@@极限频率@@@@。
所谓极限@@，即@@基极@@电流对集电极@@@@电流的@@比为@@@@1（即@@h_FE=1）的@@情况@@。

提高基极@@输入频率@@，h_FE变低@@@@。
这时@@，h_FE为@@1时的@@频率叫做@@f_T（增益带宽积@@）。
f_T指在@@该频率下能够工作的@@极限值@@@@。
但是@@，实际使@@用时能够动作的@@只有@@f_T值@@的@@@@1/5 to 1/10左右@@。

测定@@条件如下@@
f： 根据测定@@装置而定@@。为@@测定@@的@@标准频率@@。
V_CE：任意设定@@。我公司为@@一般值@@@@。
I_C：任意设定@@。我公司为@@一般值@@@@。

文章来源@@：罗姆@@