MOSFET

功率@@MOSFET在@@构造上@@，如图@@1存在@@寄生容量@@ MOSFET的@@G (栅极@@) 端子和@@其他的@@电极间由氧化膜绝缘@@，DS (漏极@@、源极@@) 间形成@@PN接合@@，成为内置二极管构造@@。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的@@静电容量@@、Cds根据内置二极管的@@接合@@容量决定@@

ROHM不仅提供电机驱动器@@IC，还提供适用于电机驱动的@@非隔离型栅极@@驱动器@@，以及分立功率@@器件@@IGBT和@@功率@@@@MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型栅极@@驱动器@@，再介绍@@ROHM超级结@@MOSFET PrestoMOS™。

Microchip今日宣布扩大其碳化硅@@产品组合@@，推出一系列@@高效率@@、高可靠性的@@@@1700V碳化硅@@MOSFET裸片@@、分立器件和@@电源模块@@@@。新推出的@@碳化硅@@系列@@产品使工程师能够舍弃@@IGBT，转而使用零件数量更少@@、效率更高@@、控制方案更简单的@@两级拓扑结构@@。

ROHM开发出内置有@@2枚耐压@@±40V和@@±60V的@@MOSFET且支持@@24V输入的@@双极@@MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列@@（Nch+Pch*2）”，非常适用于@@FA等工业设备@@和@@基站@@（冷却风扇@@）的@@电机驱动@@。

Microchip耐辐射@@M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的@@开关金宝博@@手机登录@@@@ ，包括负载点转换器@@@@、DC-DC转换器@@、电机驱动和@@控制以及通用开关@@。这款@@MOSFET器件能够承受恶劣的@@空间环境@@

Vishay推出多功能新型@@30Vn沟道@@TrenchFET第五代功率@@@@MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和@@非隔离拓扑结构功率@@密度和@@能效@@。SiSS52DN的@@FOM比上一代器件低@@29 %，从而降低导通和@@开关损耗@@，节省功率@@转换应用的@@能源@@。

一个高质量的@@开关电源效率高达@@95%，而开关电源的@@损耗大部分来自开关器件@@（MOSFET和@@二极管@@），所以正确的@@测量开关器件的@@损耗@@，对于效率分析是非常关键的@@@@。那我们该如何准确测量开关损耗@@呢@@？

MOSFET是一种在@@模拟电路和@@数字电路中都应用的@@非常广泛的@@一种场效晶体管@@。三极管也成为双极型晶体管@@，他能够控制电流的@@的@@流动@@，将较小的@@信号放大成为幅值较高的@@电信号@@。MOSFET和@@三极管都有@@ON状态@@，那么在@@处于@@ON状态@@时@@，这两者有什么区别呢@@？

MOSFET因导通内阻低@@、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中@@。MOSFET的@@驱动常根据电源@@IC和@@MOSFET的@@参数选择合适的@@电路@@。下面一起探讨@@MOSFET用于开关电源的@@驱动电路@@@@。