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功率@@MOSFET在@@构造上@@，如图@@1存在@@寄生容量@@ MOSFET的@@G (栅极@@) 端子和@@其他的@@电极间由氧化膜绝缘@@，DS (漏极@@、源极@@) 间形成@@PN接合@@，成为内置二极管构造@@。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的@@静电容量@@、Cds根据内置二极管的@@接合@@容量决定@@

电容降压的@@工作原理并不复杂@@。阻容降压的@@工作原理是利用电容在@@一定的@@交流信号频率下产生的@@容抗来限制最大工作电流@@。同时在@@电容器@@上串联一个阻性金宝博@@手机登录@@@@ ，则阻性金宝博@@手机登录@@@@ 两端所得到@@的@@电压和@@它所产生的@@功耗完全取决于这个阻性金宝博@@手机登录@@@@ 的@@特性@@@@。

在@@热插拔应用中@@，如果出现较大的@@过流@@故障@@，保护@@IC就会迅速切断电流@@，以保护@@附近的@@组件不受损坏@@。这种电流快速关断@@（可能从@@50 A（过流@@）到@@0 A（保护@@关断@@））将在@@几十纳秒内发生@@，并导致大电流瞬变@@（di/dt）

数字晶体管是指普通晶体管上连接@@2个电阻器的@@晶体管@@。直流电流放大率为@@ 输出电流@@/输入电流@@ ，因此不因输入电阻@@R1，放大率下降@@。仅有输入电阻@@R1的@@类型@@@@ 放大率表示为@@hFE，与个别晶体管@@hFE相等@@。

对于系统设计而言@@，人们总是尽可能地采用最理想的@@解决方案来达到@@最高效的@@设计@@。与平面整流器相比@@，沟槽肖特基整流器让我们与理想的@@解决方案更近一步@@。

RFID是一种采集数据的@@工具@@，也是企业数字化改造的@@一项重要技术@@。在@@上线@@RFID技术之前@@，企业需要更全面@@、准确地理解@@RFID的@@特性@@@@，从而有针对性地落实@@RFID项目@@，充分发挥@@RFID在@@不同领域@@、不同场景和@@应用环节的@@最大潜力@@。

快恢复二极管的@@反向恢复时间一般为几百纳秒@@，正向压降为@@0.6V~1V，正向电流为几安培至几千安培@@，反向峰值电压可达几百伏特至几千伏特@@，可用作开关电源中的@@输出整流管@@、一次侧钳位保护@@电路的@@阻塞二极管@@

本文将涵盖一些与@@Digi-Key在@@售天线产品的@@相关术语@@（也适用于接收器@@、发射器和@@收发器@@，以及任何与@@RF相关的@@器件@@）。对于刚开始研究这类技术的@@客户而言@@，有些术语可能相当令人困惑@@。

在@@NPN晶体管中@@，基极@@ (B) 被偏置为正@@，集电极@@ (C) 被偏置为负@@，由发射极@@ (E) 流向@@C的@@是逆电流@@。1. 不用担心劣化和@@损坏@@，在@@使用上是没有问题的@@@@。2. NPN-Tr的@@B和@@C对称@@、和@@E极同样是@@N型@@。也就是说@@，逆接@@C、E也同样有晶体管的@@功效@@。即电流由@@E→C流动@@。

ROHM不仅提供电机驱动器@@IC，还提供适用于电机驱动的@@非隔离型@@栅极@@驱动器@@，以及分立功率@@器件@@IGBT和@@功率@@@@MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型@@栅极@@驱动器@@，再介绍@@ROHM超级结@@MOSFET PrestoMOS™。