技术文章@@

知道并理解@@!MOSFET特性@@

功率@@MOSFET在@@构造上@@,如图@@1存在@@寄生容量@@ MOSFET的@@G (栅极@@) 端子和@@其他的@@电极间由氧化膜绝缘@@,DS (漏极@@、源极@@) 间形成@@PN接合@@,成为内置二极管构造@@。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的@@静电容量@@、Cds根据内置二极管的@@接合@@容量决定@@

三张电路图教你看懂阻容降压的@@工作原理@@

电容降压的@@工作原理并不复杂@@。阻容降压的@@工作原理是利用电容在@@一定的@@交流信号频率下产生的@@容抗来限制最大工作电流@@。同时在@@电容器上串联一个阻性金宝博@@手机登录@@ ,则阻性金宝博@@手机登录@@ 两端所得到@@的@@电压和@@它所产生的@@功耗完全取决于这个阻性金宝博@@手机登录@@ 的@@特性@@@@。

热插拔应用需要@@TVS二极管吗@@?

在@@热插拔应用中@@,如果出现较大的@@过流@@故障@@,保护@@IC就会迅速切断电流@@,以保护@@附近的@@组件不受损坏@@。这种电流快速关断@@(可能从@@50 A(过流@@)到@@0 A(保护@@关断@@))将在@@几十纳秒内发生@@,并导致大电流瞬变@@(di/dt)

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数字晶体管是指普通晶体管上连接@@2个电阻器的@@晶体管@@。直流电流放大率为@@ 输出电流@@/输入电流@@ ,因此不因输入电阻@@R1,放大率下降@@。仅有输入电阻@@R1的@@类型@@@@ 放大率表示为@@hFE,与个别晶体管@@hFE相等@@。

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RFID是一种采集数据的@@工具@@,也是企业数字化改造的@@一项重要技术@@。在@@上线@@RFID技术之前@@,企业需要更全面@@、准确地理解@@RFID的@@特性@@@@,从而有针对性地落实@@RFID项目@@,充分发挥@@RFID在@@不同领域@@、不同场景和@@应用环节的@@最大潜力@@。

射频技术开发@@,你必须了解的@@@@10个术语@@!

本文将涵盖一些与@@Digi-Key在@@售天线产品的@@相关术语@@(也适用于接收器@@、发射器和@@收发器@@,以及任何与@@RF相关的@@器件@@)。对于刚开始研究这类技术的@@客户而言@@,有些术语可能相当令人困惑@@。

一文认识晶体管的@@逆向电流@@、封装功率@@@@、频率特性@@@@

在@@NPN晶体管中@@,基极@@ (B) 被偏置为正@@,集电极@@ (C) 被偏置为负@@,由发射极@@ (E) 流向@@C的@@是逆电流@@。1. 不用担心劣化和@@损坏@@,在@@使用上是没有问题的@@@@。2. NPN-Tr的@@B和@@C对称@@、和@@E极同样是@@N型@@。也就是说@@,逆接@@C、E也同样有晶体管的@@功效@@。即电流由@@E→C流动@@。

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ROHM不仅提供电机驱动器@@IC,还提供适用于电机驱动的@@非隔离型@@栅极@@驱动器@@,以及分立功率@@器件@@IGBT和@@功率@@@@MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型@@栅极@@驱动器@@,再介绍@@ROHM超级结@@MOSFET PrestoMOS™。